Гетеоэпитаксика CBN

Используя алмаз в качестве субстрата, который имеет постоянную решетку и поверхностную энергию, очень близкую к энергии CBN, обеспечивает гетероэпитаксиальный рост CBN. Успех этих эпитаксиальных сингла - Crystal Cbn тонких пленок позволил эффективно использовать тонкие пленки CBN для изготовления полупроводниковых устройств.

 

 

Кроме того, другие материалы также могут использоваться в качестве субстратов для гетероэпитаксиального роста пленок CBN. Например, после до - обработки кремниевой субстрата, TBN можно выращивать непосредственно на подложке, эффективно уменьшая толщину переходного слоя.

 

Веб -сайт Chinadiatools публикует и делится новейшей, наиболее полной и более профессиональной информацией о Diamond Tools и инструментах CBN.